據外媒Tomshardware報道，俄羅斯一家研究單位正在研究開發(fā)可被用于7納米制程芯片生產的光刻掃描儀，不過該工具將與ASML或Nikon等公司生產的光刻掃描儀有所不同。

圖源：Tomshardware

報道稱，俄羅斯科學院下屬的俄羅斯應用物理研究所樂觀預期，俄羅斯到2028年能夠成功研發(fā)且量產出具有7納米制造能力的微影光刻設備，并預期設備研發(fā)生完成后可能會比ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。

消息一出有眾多人都不相信，畢竟ASML開發(fā)Twinscan NXT:2000i就花費了超過10年時間，而俄羅斯應用物理研究所在芯片生產沒有任何經驗或與芯片制造商沒有任何聯(lián)系，用六年實現量產難度堪比登天。

據報道稱，原因在于俄羅斯研發(fā)的微影光刻設備將與ASML、Nikon等公司生產的光刻掃描儀有所不同。例如俄羅斯應用物理研究所計劃使用大于600W的光源、曝光波長為 11.3nm（EUV 波長為13.5nm）。由于該設備的光源功率相對較低，這將使工具更緊湊，更易于構建。然而這也意味著其掃描儀的產量將大大低于現代深紫外 (DUV) 工具的產量。

根據俄羅斯應用物理研究所的研發(fā)計劃，將于2024年之前建造一個功能齊全的首代微影光刻設備，使其能運作和對潛在投資者有吸引力。緊接計劃于2026年之前制造出具有更高生產力和解析度的微影光刻設備的測試版設備，可以實現量產晶圓；微影光刻設備終極版本將于2028年問世，其不但要能獲得高性能光源，并且具有更好的計算量測和整體能力。?