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支持5nm工藝,國產(chǎn)半導體裝備利器研發(fā)成功!

來源:貼片電容 發(fā)布時間:2022-04-08 瀏覽:400

據(jù)半導體行業(yè)觀察報道,中國長城旗下鄭州軌道交通信息技術(shù)研究院成功研發(fā)了支持5nm DBG工藝的全自動12寸晶圓激光開槽設備。


圖片

圖源:中國長城


芯片大師了解到,晶圓激光開槽設備應用于半導體封裝環(huán)節(jié)。該設備除了具備常規(guī)激光開槽功能之外,還支持5nm DBG工藝、120微米以下超薄wafer全切割功能、晶圓廠IGBT工藝端相關制程和TAIKO超薄環(huán)切等各種工藝。


據(jù)中國長城介紹,鄭州軌交院研發(fā)的晶圓激光開槽設備采用模塊化設計,可支持不同脈寬(納秒、皮秒、飛秒)激光器。通過自主研發(fā)的光學系統(tǒng),可實現(xiàn)光斑寬度及長度連續(xù)可調(diào),配合超高精度運動控制平臺等技術(shù),與激光隱切設備相輔相成,解決了激光隱切設備對表面材質(zhì)、厚度、晶向、電阻率的限制,實現(xiàn)工藝的全兼容,有助于控制產(chǎn)品破損率、提高芯片良率


此文關鍵詞:支持5nm工藝,國產(chǎn)半導體裝備利器研發(fā)成功!