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BSS83PH6327XTSA1 INFINEON/英飛凌 DFN1006-3
類別 | 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | SIPMOS? | |
包裝 | 卷帶（TR） 剪切帶（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷帶 | |
產品狀態(tài) | 在售 | |
FET 類型 | P 通道 | |
技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
漏源電壓（Vdss） | 60 V | |
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 330mA（Ta） | |
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 2 歐姆 @ 330mA，10V | |
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 80μA | |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 3.57 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 78 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
供應商器件封裝 | PG-SOT23 | |
封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | |
基本產品編號 | BSS83PH6327 |
